在曝光小尺寸圖形時，ADS7866IDBVR我們傾向于使用正膠，這一點茌前面已經討論過了。其中一個原因就是正膠適于使用暗場掩模版做孔洞。暗場掩模版大部分被鉻覆蓋，因為鉻不會像玻璃一樣易損，所以缺陷比較少。然而，一些掩模版用來曝光島區，而不是孔洞，比如金屬層掩模版上是島區圖形。遺憾的是，用正膠做島區的光刻需要使用亮場掩模版，而它的玻璃容易損傷。

    一種使用正膠和暗場掩模版做出島區的工藝是圖像反轉。它采用了傳統的暗場掩模版成像方法（見圖10.36），在曝光結束后，光刻膠里的圖形與想要得到的圖形是相反的，也就是說，如果接著濕影的話，會得到孔洞而不是島區圖像反轉工藝的主要步驟為將涂膠的晶圓放置在有氨蒸氣的真空烘箱中。氨蒸氣穿透光刻膠，改變其    圖形極性。將晶圓從真空烘箱中取出，再進行泛光曝光，  從而完成整個，圖形反轉工藝。氨氣烘焙和泛光曝光的效果是改變曝光區域和非曝光區域的相對分解率，在接下來的顯影步驟便可以實現圖形反轉了。這一工藝可以實現與非圖形反轉工藝同樣的分辨率。