器件層必須滿足一般參數和特殊參數的要求。G24101MI特殊參數將在相關的單獨層中給予注釋在半導體中薄膜需要滿足的一般標準包括：

   ·厚度或均勻性

   ·表面平整度或粗糙度

   ·組成或核粒( grain)尺寸

   ．無應力

   ·純凈度

   ·完整性

   薄膜需要具有均勻的厚度以同時滿足電性能和機械性能的要求。淀積的薄膜必須是連續的，并且沒有針孑L，以阻止雜質的進入和防止層間短路。外延膜的厚度已經從5 ht,m級縮小到亞微米級，由此想到，導體層的厚度成為阻抗來源的因素之一。此外，比較薄的層容易含有較多的針孔和比較弱的機械強度。其中，備受關注的是臺階部位的厚度維護（見圖12.3）。過薄的臺階部位的厚度可能導致器件中的電子短路和／或者引入并不需要的電荷。該問題在窄而深的孔和溝槽處顯得尤為突出。我們稱這種情形為高深寬比模式( high-aspect-ratio  pattern)。深寬比為深度除以寬度（見圖12.3）。問題之一是淀積的薄膜在溝槽的邊緣變薄；其二是在溝槽的底部變薄。在多層金屬的結構中，高深寬比的溝槽的填充是一個主要問題。