薄膜表面的平整性如同厚度一樣重要。第10章已詳盡闡述了臺階和表面的粗糙度對圖像形成的影響。G2992F1U淀積的薄膜必須平整、光滑，并且淀積的方法允許形成最小的臺階、裂隙和表面反射。

   淀積的薄膜必須具有所要求的均勻成分。許多反應是復雜的，且有可能淀積的簿膜含有的成分與所要求的成分不同。化學計量學( Stoichiometry)提供了對化學反應中的反應物和形成物的定量計算的方法。除化學的成分外，核粒( grain)尺寸具有同樣的重要

性。在淀積過程中，薄膜材料趨向于聚集或成核。在相同的成分和厚度的薄膜中，核粒尺寸E的變化也會產生電性能及機械性能上的差異，其原因在于流經核粒表面的電流會受到影響。機械特性也隨著核粒界面大小而改變。

   無應力是對淀積的薄膜的另一種特性上的要求。淀積時附加額外應力的薄膜將通過裂隙的形成而釋放此應力。裂隙的薄膜使薄膜的表面變粗，而且雜質也會滲透到晶圓內。嚴重時將導致短路。

   純凈度，即在薄膜中不含有不需要．的化學元素或分子，以保證薄膜執行預定的功能。例如，外延層中含有氧的雜質將改變其電性能。純度也包括可動離子沾污和微粒之外的其他物質。

   電容是淀積薄膜的另一個重要參數（見第2章）。半導體中的金屬傳導層需要高傳導、低電阻和低電容的材料，也稱為低k值絕緣介質（low-k dielectric）。傳導層之間使用的絕緣介質層需要高電容或高后值的絕緣介質（high-k dielectric）-彭。

   層間介質應采用低A材料，希望降低電容效應——詳者注。