在高深高比的孑L中，均勻的薄膜覆蓋總是采用準直系統。通常地，濺射靶材料是原子。 AD22299研究發現，將金屬引入等離子體中可產生離子。在晶圓七還施加了偏置，吸引金屬離子直接進入孑L中，提供更均勻的覆蓋。這種工藝稱為離子化淀積或I-PVD。而且在孔的底部有二次濺射( resputter)發生。首先，一層金屬放下，正在進入的離子有效地濺射這底層，依次淀積在孔的側壁上（見圖13. 13。

   圖13. 12具有準直器的濺射    圖13. 13  電離PVD展現二次電離效應

   濺射最大的貢獻恐怕就是對薄膜特性的控制了。這種控制是通過調節濺射參數達到的，包括壓力、薄膜淀積速率和靶材。通過多種靶材的排列，一種工藝就可以濺射出像三明治一樣的多層結構。