清潔干燥的氬氣（或氖氣）可以保持薄膜的成分特征不變，而且低濕度可以阻止薄膜發生不必要的氧化。反應室裝載晶圓之后，泵開始抽氣（向外）， AD3110將其壓力減小到1×10'9托左右。然后充入氬氣，并使其電離。要嚴格控制進入室內的氬氣的量，因為氬氣增多會造成室內壓力升高。由于氬氣和轟擊出的原材料存在，室內壓力將上升到大約10一托。對于薄膜淀積速率，反應室壓力是一個關鍵參數。從靶上轟擊出原材料之后，氬離子、轟擊出的原材料、氣體原子和濺射工藝所產生的電子，在靶前方形成一個等離子區域。、等離子區是可見的，呈現紫色輝光。、而黑色區域將等離子區和靶分開，我們稱之為暗區( dark space)。

   有4種濺射方法可用：二極管（直流）、頻(RDI)]、三極管和磁控管。磁控管濺射( magnetron) 已經作為優選系統而呈現。這種系統將磁極安裝在靶的背面和四周（見圖13. 14），磁鐵俘獲和限制電子到靶前的運動及到晶圓的運動。j此外，它將可以被濺射逭的靶室材料的量最小化，并防止對淀積膜的污染。磁控系統對于提高淀積速率更加有效。因此，磁控系統產生的離子流（轟擊靶的氬離子密度）要比傳統的二極濺射系統好，、其次，反應室的壓力將更低，這有利于淀積膜的清潔i，另外，磁控濺射系統使得靶的溫度降低，有利于鋁和鋁合金的濺射。

   實際生產用的濺射系統各種各樣。有的反應室是批次晶圓生產系統，有的則是單晶圓生產系統。大部分生產設備都有裝料自鎖能力。裝料口就像接待室，它是局部真空的，可以保證反應室維持真空。它的優點就是提供了更高的生產率。生產設備通常可以支持一種或兩種靶材，而且隨著機械技術的發展，將來的設備會有更大的擴展性。

   濺射I：藝還能完成品圓表面的腐蝕和清潔。將晶圓承載臺放在一個小同的場壓F，使得氬原子直接轟擊晶圓，來完成刻蝕和清潔。這種工藝程序稱為濺射刻蝕(sputter etCh)、反濺射(reverse sputter)或離子銑(ion milling)，、它可清除晶圓上的污染物和一層薄的膜。清除污染物提高了已暴露晶圓區域與薄膜之間的電連接．同時提高了薄膜對晶圓表面其他部分的黏度。