毫無疑問，淀積薄G2997F6U膜的數量和種類的增加促進了許多淀積技術的問世。20世紀60年代的藝師只能選擇常壓化學氣相淀積( CVD)，而今天的工藝師則有更多的選擇（見圖12.4）。這些技術在_F文中進行描述。

   至此，我們已經多次使用r淀積( deposition)和CVD等術語，但沒有給出進一步的解釋。在半導體工藝中，淀積指一種材料以物理方式沉積在晶圓表面上的工藝過程；而生長膜，如二：：氧化硅，是從晶圓表面的材料上生長形成的。大多數薄膜是采用CVD技術淀積而成的。從概念上講，其T藝較為簡單（見圖12.5）：含有薄膜所需的原子或分子的化學物質在反應審內混合并在氣態下發生反應，其原子或分子淀積在晶圓表面并聚集，形成薄膜。圖12.5示意出四氯化硅( S1Cl4)與氫(H_)反應，在晶圓上形成的淀積為硅層。在進行CVD反應時，反應系統需要額外的能量，用于加熱反應室或晶圓。

   發生的化學庋應可以分為4種類型：高溫分解反應、還原反應、氧化反應和氮化反應（見圖12.6）．，高溫分解(pyrolysis)反應是僅受熱量驅動的化學反應過程。還原反應(reduction)是分子和氫氣的化學反應過程。氧化反應( oxidation)是原子或分子和氧氣的化學反應過程，氮化反應（nitridation）是形成氮化硅的化學工藝過程。