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淀積薄膜的生長需要幾個不同的階段

發布時間:2015/11/7 21:54:57 訪問次數:916

   淀積薄膜的生長需要幾個不同的階段(見圖12.7)。第一階段是成核過程(nucleation)。G5258A2過程非常重要,并且與襯底的質量密切相關。起初,晶核在淀積了幾個原子或分子的表面L形成。j然后,這些原子或分子形成許多個小島,進而長成為較大的島。在第i階段,這砦島向外擴散,最后形成連續的薄膜。薄膜長成特定的幾百埃的階段就是這樣一個傳輸過程。傳輸過程的薄膜與最終的較厚的薄膜“體”有著不同的物理和化學性質。

   在傳輸膜形成之后,薄膜體開始生長。人們設計出廠多種【藝,用以形成下面的3種結構:非晶體、多晶體和單晶體(見圖12.8)。這些術語已經在前面的章節中闡述過了。對工藝的設置不當和控制不良,將導致薄膜結構上的錯誤。例如,在晶圓上生長單晶外延膜,但在晶圓的氧化物未被去除干凈的島區,結果會在生長的薄膜當中生成多晶區域。

     


   淀積薄膜的生長需要幾個不同的階段(見圖12.7)。第一階段是成核過程(nucleation)。G5258A2過程非常重要,并且與襯底的質量密切相關。起初,晶核在淀積了幾個原子或分子的表面L形成。j然后,這些原子或分子形成許多個小島,進而長成為較大的島。在第i階段,這砦島向外擴散,最后形成連續的薄膜。薄膜長成特定的幾百埃的階段就是這樣一個傳輸過程。傳輸過程的薄膜與最終的較厚的薄膜“體”有著不同的物理和化學性質。

   在傳輸膜形成之后,薄膜體開始生長。人們設計出廠多種【藝,用以形成下面的3種結構:非晶體、多晶體和單晶體(見圖12.8)。這些術語已經在前面的章節中闡述過了。對工藝的設置不當和控制不良,將導致薄膜結構上的錯誤。例如,在晶圓上生長單晶外延膜,但在晶圓的氧化物未被去除干凈的島區,結果會在生長的薄膜當中生成多晶區域。

     


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