CVD系統有著多種多樣的設計和配置。通過基本子系統的通用性分析，有助于對大部分CVl)系統多樣化的理解（見圖12.9）。大部分CVD系統的基本部分是相同的，G526-2P1UF如管式反應爐（已在第7章中描述）、氣源柜、反應室、能源柜、晶圓托架（舟體），以及裝載和卸載機械裝置。在某些情況下，CVD系統則是一種專用的預氧化和擴散的管式反應爐．，化學氣源被存儲在氣源柜內。蒸氣從壓縮的氣體瓶或液體發泡源中產生。氣體流量通過調壓器、質量流量計和計時器共同控制.

   實際的淀積發生在反應室內的晶圓上。加熱用的能量呵通過熱傳導、對流、射頻、輻射、等離子體或紫外線等來提供。能量釋放在特定的相關部位。對于不同的反應，不同的薄膜厙度及制造參數，溫度的變化范圍町從室溫到1250℃。

   系統的第4部分是晶圓托架，、反應室配置及熱源不同，托架的構造和材料也不同．大多數用于制造甚大規模集成電路( ULSI)的系統全部采用自動化的裝載和卸載系統。完整的生產系統還包含了相應的清洗部分或清洗臺和裝卸片區。