CVD的工藝有著與氧化或擴散等相同的步驟。回顧一下，這些步驟包括預清洗（T藝要求的刻蝕）、G548A2P1UF淀積和評估。我們已經描述過清洗工藝，即用于去除微粒和可動的離子污染。化學氣相淀積，如氧化是以循環的方式進行的。首先，將晶圓裝載到反應室內，裝載過程通常是在惰性氣體環境下進行的。然后，晶圓被加熱到預定溫度，將反應氣體引入淀積薄膜的反應室內進行反應。最后，將參與反應的化學氣體·排出反應室，移出晶圓。薄膜的評估包括厚度、臺階覆蓋、純度、清潔度和化學成分。評估方法將在第14章中介紹。

   CVD系統（見圖12. 10）主要分為兩種類型：常壓(AP)和低壓(I．P)。除一些常壓CVD系統( APCVD)外，大多數器件的薄膜是在低壓系統中淀積的，也稱為低壓CVD或LPCVD。

   兩種系統的另一個區別是熱壁或冷壁。冷壁系統直接加熱晶圓托架或晶圓，加熱采用感應或熱輻射方式，反應窒壁保持冷的狀態。熱壁系統加熱晶圓、晶圓托架和反應室壁。冷壁CVD系統的優點在于反應僅在加熱的晶圓托架處進行。在熱壁系統中，反應遍布整個反應室，反應物殘留在反應室的內壁上，反應物的積聚需要經常清洗，以避免污染晶圓。

   在工作時，CVD系統使用兩種能量供給源：熱輻射和等離子體。熱源是爐管、熱板和射頻感應。與低壓相結合的增強型等離子體淀積( PECVD)提供J7特有的低溫和優良的薄膜成分和臺階覆蓋等優點。

   用于淀積如砷化鎵( GsAa)這樣的化合物膜的特殊CVD系統稱為氣相外延(VPE)。其中用于淀積金屬的較新型的技術是在VPE系統中采用有機金屬(MOCVD)源。最后描述的一種淀積方法是非CVD分子束外延(MBE)法，該方法在低溫下極易控制薄膜的淀積。