離子注入掩膜
發布時間:2015/11/5 18:44:22 訪問次數:2419
離子注入的一個重要優點是多種類型的掩膜都可以有效地阻止離子束流。AD7010JRS對于擴散工藝，唯一有效的掩膜是二氧化硅。半導體工藝所用的大多數薄膜都可用來阻止束流，包括光刻膠、二氧化硅、氮化硅、鋁及其他金屬薄膜。圖11. 29比較了阻礙200 keV的不同雜質源注入所需的掩膜厚度。
使用光刻膠薄膜而不是刻蝕開的氧化層作為掩膜，提供了與剝離( lift-off)工藝相同的尺寸控制優勢，取消了刻餓步驟以及它所引入的變化。使用光刻膠還能使生產效率更高。作為二氧化硅的替代物，將晶圓要經過的加熱步驟減到最少，從而提高了整體良品率。
離子注入的一個重要優點是多種類型的掩膜都可以有效地阻止離子束流。AD7010JRS對于擴散工藝，唯一有效的掩膜是二氧化硅。半導體工藝所用的大多數薄膜都可用來阻止束流，包括光刻膠、二氧化硅、氮化硅、鋁及其他金屬薄膜。圖11. 29比較了阻礙200 keV的不同雜質源注入所需的掩膜厚度。
使用光刻膠薄膜而不是刻蝕開的氧化層作為掩膜，提供了與剝離( lift-off)工藝相同的尺寸控制優勢，取消了刻餓步驟以及它所引入的變化。使用光刻膠還能使生產效率更高。作為二氧化硅的替代物，將晶圓要經過的加熱步驟減到最少，從而提高了整體良品率。
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相關技術資料- 11-5離子注入掩膜
公網安備44030402000607
