氮化硅可替代氧化硅使用，HDMP-1034AG特別是對頂部保護層。氮化硅比較硬，可以比較好地保護開始    表面避免劃傷，氮化硅也是一種較好的濕氣和

   鈉的阻擋層（無摻雜），具有較高的絕緣強度和

   抗氧化能力。后者的特性可使氮化硅在硅的局淀積并產生  部氧化( LOCOS)中使用，以達到隔離的目的。氮化硅圖形  圖12. 40中顯示了它的工藝，帶有圖形的氮化

   硅島保護島下面的氧化物。在熱氧化和去除氮化硅后，晶圓表面的區域用于器件的形成，并被生長熱氧化硅    氧化物的隔離區域分開。氮化硅的不足之處在

   于它的流動性不如氧化物，而且比較難以刻蝕。采用等離子體刻蝕工藝可以克服刻蝕上的限制。去除    早期，用氮化硅作為保護膜所受到的限制氮化硅    是由于缺乏低溫淀積工藝。在APCVD系統中，使用硅烷或SiCI., H7淀積氮化硅的溫度在700℃~ 900℃之間（見圖12.41），薄膜的咸分是Si3 N4。反應也可以在LPCVD反應室內進行，但是在鋁金屬層七淀積時，其溫度要足夠低。PECVD的出現開始了不同化學源的使用，其中之一是硅烷rj氨氣( NH，)或氮氣在氬氣等離子體狀態下的反應。