接著，在第一層光刻膠的上面，再徐一層相對比較薄的對紫外線敏感的正膠。這一層薄NCP346SN1T1頂層光刻膠避免了厚膠的不利因素和晶圓表面的反射光的影響，可以達到很好的分辨率。因為頂層光刻膠依底層光刻膠的形狀變化而變化，所以頂層光刻膠也被稱為共形層( conformalayer)或輕便的共形層(portable conformal layer)。頂層光刻膠作輻射的阻擋層，下面一層不會感光。然后使用覆蓋式或泛光深紫外曝光（無掩模版），通過頂層的孑L使下面的厚正膠感光，從而將圖形從頂層光刻膠轉移到了下面一層。顯影后，晶圓就可以刻蝕了。

   對兩種光刻膠的選擇是相當復雜的，需要考慮襯底的反射問題、駐波的影響和PMMA光刻膠的敏感度【22 3。還有，兩種光刻膠必須有兼容的烘焙工藝和相互獨立的顯影劑 在基本的雙層光刻膠工藝基礎上，引申出廠PMMA添加染色劑和在第一層光刻膠F面使用防反射層等-T藝。許多引申出來的工藝都已非常成熟。使用雙層光刻膠工藝其中一一種是剝離( lift-off)技術。通過調整下面一層的顯影控制，可以得到懸垂結構，它可以幫助在晶圓表面更好地定義金屬線（見圖10. 27）.

   i層光刻膠工藝（見圖10. 28）在原來的兩層光刻膠之間引進了一層“硬”層。這層“硬”層可能是。二氧化硅或其他抗顯影劑

物質。與雙層光刻膠工藝相同，圖形是先在頂層光刻膠形成的；接著，圖形通過傳統的刻蝕工藝轉移到中間“硬”層中；最后，使用“硬”層作為刻蝕掩模版，將圖形轉移到底層。由于使用了“硬”中間層，底層可以使用非光刻膠物質，比如聚酰業胺．