金屬有機物CVD( MOCVD)是化合物CVD中較新的選擇之一。VPE是化合物淀積系統，GLP-401而MOCVD是指用于VPE和其他系統中的源。在MOCVD工藝中，淀積期望的原子和復雜的有機氣體分子結合，并通過一個被加熱的半導體晶圓。被加熱的分子破裂，將期望的原子一層一層地淀積在表面上。，它能生長高質量的半導體層（薄至lmm的百萬分之一），這些層的晶體結構與襯底可以完美對齊16。12. 26   M()CVD泵統(源自 : S. K. Chandhi, V/,_S/ Fabrication. Prin,ciple., Wilev-Intersr-ienc-e,1994)

使用兩種化學物質：鹵化物和金屬有機物。上面描述的在VPE中砷化鎵的淀積就是一種鹵化物工藝。熱區形成Ill族鹵化物（鎵），冷區淀積III~V族化合物。在砷化鎵的金屬有機物阿工藝中，(CH，)，Ga與砷進入反應室反應，形成砷化鎵，反應式為

   (CH3)3Ga+AsH3—}GaAs+3CH4

   雖然MBE工藝較為緩慢，但MOCVD工藝能夠滿足批量生產的需要，且適合較大的襯底1引。MOCVD還具有制造化學成分不同的多層膜的能力。此外，與MBE不同，MOCVD可以在如InGaAsP這樣的器件中淀積磷。采用MOCVD工藝制造的常規器件有光電陰極、高頻發光二極管、長波激光、可見激光和橘紅色發光二極管（見第16章）。

   廣義地講，MOCVD指半導體膜的金屬有機物化學氣相淀積。當在氣相外延系統生長外延層時，使用金屬有機源，則稱其為MOVPE㈣。應用包括III-V族半導體層的金屬有機物化學氣相淀積，對于基礎研究和器件應用，包括GaAs、AIAs、AIGaAs，InGaAs和InP，另外還有JII-V族半導體層的△形摻雜、量子點的生長、量子線、量子阱、摻雜調制異質結和選擇區域外延生長201。