在電壓輸出狀態，GL2574-ASF8R為了獲得高的輸出電壓，應使RL>Rb，此時采用輸入阻抗高的電壓放大器為好。顯然頻率特性變壞。

   以上所述是選用負載電阻及放大器的原則，同樣也可利用圖5.16 (b)所示的圖解法（利用交、直流負載線和不同光照下的伏安特性曲線）推導輸出參數的計算公式。。

   圖5.17示出了幾種硅光電池的光電變換電路，這些電路都是按照線性要求設計的，所以硅光電池必須工作在I區，并且是電流輸出，才能獲得線性T作。

   在圖5.17 (a)所示的電路中，用于放大光電流的三極管必須采用鍺管，不能用硅管。因為，  ‘般硅三極管基極一射極電壓高于0.7V時才開始導通，但硅光電池的開路電壓最高不超過0.6 V，因此，用硅三極管是無法工作的；而鍺二三極管在開始導通時射極一基極電壓約為0.3 V，！與有光照時，只要硅光電池的輸出電壓高于0.3 V，鍺管3AX4便開始導通，輸出電壓Vo。。由-10 V上升，入射光的強度越強，輸出電壓越接近于地電位。由，二3AX4的輸入阻抗很低，所以硅光電池基本上工作在線性區。

   圖5.17 (b)和圖5.17 (c)所示電路都使用硅三極管放大電流，前者采用兩個硅光電池串聯，以獲得高于0.7 V的信號電壓；后者則將鍺二極管2AP7的正向壓降0.3 V作為硅光電池的反向偏置電壓，以使硅三極管得以投入工作。

   上面所示的三種電路都以晶體三極管基極一射極間的正向電阻作為硅光電池的負載，因此硅光電池幾乎工作在短路狀態，從而獲得線性工作特性。