硅光電二極管在結構和工作原理上與硅光電池也相似。如果應用于光伏T作模式，其HD74AC08TELL機理與光電池基本相同，屬于PN結型光生伏特效應。但是與光電池比較，略有不同： ①就制作襯底材料的摻雜濃度而言，光電池較高，約為l016～l0'9原子數／cm3，而硅光電二極管摻雜濃度約為l012～l013原子數／cm3；②光電池的電阻率低，約為0.1～0.01 Q/cm，而硅光電二極管則為1000 Q/cm;③光電池在零偏置下工作，而硅光電二極管通常在反向偏置下工作；④一般來說，光電池的光敏面面積都比硅光電二極管光敏面大得多，因此硅光電二極管的光電流小得多，通常在微安級。

   硅光電二極管通常用于反偏的光電導工作模式，這里簡略敘述如下。

   硅光電二極管在無光照條件下，若PN結加一個適當的反向電壓，則反向電壓加強了內建電場，使PN結空間電荷區拉寬，勢壘增大，流過PN結的電流（稱反向飽和電流或暗電流）很小，反向飽和電流是由少數載流子的漂移運動形成的。