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硅光電二極管原理圖及符號

發布時間:2016/1/25 19:07:29 訪問次數:3637

    硅光電二極管通常用于反偏的光電導工作模式,這里簡略敘述如下。

   硅光電二極管在無光照條件下,若PN結加一個適當的反向電壓, HD74AC138FPEL則反向電壓加強了內建電場,使PN結空間電荷區拉寬,勢壘增大,流過PN結的電流(稱反向飽和電流或暗電流)很小,反向飽和電流是由少數載流子的漂移運動形成的。

   當硅光電二極管被光照時,若滿足條件hv≥Eg,則在結區產生的光生載流子將被內建電場拉開,光生電子被拉向N區,光生空穴被拉向P區,于是在外加電場的作用下形成了以少數載流子漂移運動為主的光電流。顯然,光電流比無光照時的反向飽和電流大得多,光照越強,表示在同樣的條件下產生的光生載流子越多,光電流越大;反之,則光電沆越小。

   當硅光電二極管與負載電阻RL串聯時,則在RL的兩端,便可得到隨光照度變化的電壓信號,從而完成光信號到電信號的轉換,如圖5.18所示。

      

   圖5.18硅光電二極管原理圖及符號


   硅光電二極管與光電池一樣,根據其襯底材料的不同可分為2DU型和2CU型。

 

    硅光電二極管通常用于反偏的光電導工作模式,這里簡略敘述如下。

   硅光電二極管在無光照條件下,若PN結加一個適當的反向電壓, HD74AC138FPEL則反向電壓加強了內建電場,使PN結空間電荷區拉寬,勢壘增大,流過PN結的電流(稱反向飽和電流或暗電流)很小,反向飽和電流是由少數載流子的漂移運動形成的。

   當硅光電二極管被光照時,若滿足條件hv≥Eg,則在結區產生的光生載流子將被內建電場拉開,光生電子被拉向N區,光生空穴被拉向P區,于是在外加電場的作用下形成了以少數載流子漂移運動為主的光電流。顯然,光電流比無光照時的反向飽和電流大得多,光照越強,表示在同樣的條件下產生的光生載流子越多,光電流越大;反之,則光電沆越小。

   當硅光電二極管與負載電阻RL串聯時,則在RL的兩端,便可得到隨光照度變化的電壓信號,從而完成光信號到電信號的轉換,如圖5.18所示。

      

   圖5.18硅光電二極管原理圖及符號


   硅光電二極管與光電池一樣,根據其襯底材料的不同可分為2DU型和2CU型。

 

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1-25硅光電二極管原理圖及符號

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