硅光電二極管和硅光電三極管的光電流和暗電流均隨溫度而變化，但因有電流放大作用， HD74HC02FP所以硅光電三極管的光電流受溫度影響比硅光電二極管大得多，如圖5.23所示。暗電流的增強使輸出信噪比變差，不利于弱光信號的探測，在用硅光電二極管和三極管檢測弱光信號時，要減小溫度的影響，常采取恒溫或補償措施。

   圖5.23光電管的溫度特性

   頻率響應特性

   硅光電二極管的頻率特性主要取決于光生載流子的渡越時間、負載電阻RL和結電容Cj的乘積。兆生載流子的渡越時間包括光生載流子向結區擴散的時間和在結（耗盡層或阻擋層）電場中載流子的漂移的時間。對可見光來說，由渡越時間決定的頻率上限很高，可不考慮，這時，決定硅光電二極管的頻率響應上限因素是結電容Cj和負載電阻RL。

   硅光電二極管的頻率響應可以近似地用圖5.24所示的交流等效電路來計算，圖中，RD為反向偏置時硅光電二極管的結電阻；Cj為反向偏置時的結電容；RL為負載電阻；厶為光生電流（電流源）；Rs為硅光電流二極管的串聯電阻（其值很小，可略去不計）。進一步簡化的等效電路如圖5.24 (b)所示。