在CCD中，電荷注入的方法有很多，可以FDV304P分為兩類：光注入和電注入。

   光注入。當光照射CCD硅片時，在柵極附近的半導體內產生電子一空穴對，其對數載流子被柵極電壓排開，少數載流子則被收集在勢阱中形成信號電荷。光注入又可分為正面照射式和背面照射式。圖7.19所示為背面照射光注入的示意圖，CCD攝像器件的光敏單元為光注入方式。光注入電荷QIP為

   QIP=77qAneOATO    (7.13)

   式中，77為材料的量子效率：q為電f電荷量；Ane0力入射光

的光子流速率；爿為光敏單元的受光面積；To為光注入時間。

   電注入。所謂電注入就是CCD通過輸入結構對信號電壓或電流進行采樣，將信號電壓或電流轉換為信號電荷。電注入的方法很多，這里介紹兩種常用的電流注入法和電壓注入法。

   電流注入法。如圖7.20 (a)所示，由N+擴散區和P型襯底構成注入二極管。IG為CCD的輸入柵，其上加適當的正偏壓以保持開啟并作為基準電壓，模擬輸入信號UIN加在輸入二極管ID上。當龜為高電平時，可將N+區視為MOS晶體管的源極。IG為其柵極，而龜為其漏極。當它工作在飽和區時，輸入柵下溝道電流，W為信號溝道寬度；/G為注入柵極IG的長度；矽白載流子表面遷移率；C為注入柵電容。

   經過Tc時間注入后，龜下勢阱的信號電荷量Q。

   可見這種注入方式的信號電荷Q。不僅依賴于U和Tc，而且與輸入二極管所加偏壓的大小有關。因此，Q。與Uni的線性關系較差。