把上表中的對應點畫在曲線族上，就會連接出一條最大功耗線。這條線ADM1066ACPZ的右邊稱為集電極最大允許耗散功率限制區，晶體管的工作不允許進入這個區域，以免過熱而損壞。

   對于大功率晶體管，如果外加散熱片使散熱面積增大或強制冷卻，都可以大大提高PCM的值，使最大功耗線向右上方移動。

   安全工作區。由截止區、飽和區、最大允許集電極電流ICM限制區、擊穿區和集電極最大允許耗散功率PCM限制區所圍成的內部區域稱為安全工作區，也稱放大區。在此區內由

于Uce對J。的影響較小，每條特性曲線在此區內較平坦。在此區內j。增加一個數量(如20)uA)，特性曲線向上移動一條，顯示了Ib對j。有控制作用。共發射極連接的晶體管，只要它的J。值與U。。值不超出這個區域，就能得到期望的放大作用。所以，利用安全工作區就能直觀而確切地選定I作點和放大范圍。

   場效應晶體管特性曲線

   同晶體管一樣，場效應管也可用特性曲線來描述性能和工作狀態，最常用的是漏極特性曲線和轉移特性曲線。

   漏極特性曲線。場效應管的漏極特性曲線如圖3- 36 (a)所示，它表示在一定的柵偏壓U（焉時，I和UrB的關系。同晶體管輸出特性曲線一樣，也可將漏極特性曲線分成三個工作區：I區為可變電阻區，或叫溝道歐姆區，在這個區中，溝道特與電阻類似。因為rDS -AUDS/AID，當Ucs =OV時，b隨Urs增長較陜，而當外加柵偏壓增加時，ID隨UL6增長就較慢，所以它的阻值受柵偏壓所控制；Ⅱ區為飽和區，在這個區中，UL6增大時，b幾乎不再增大，維持

某—飽和值，ID隨柵壓Us或線性變化。這是場效應管的工作區，與晶體管的放大區相似，可以獲得較高的增益和良好的恒流特陛；Ⅲ區為擊穿區，這時ID急劇增大，以致管子損壞。