在氧化氣氛中添加微量氯元素進行s⒑2薄膜生長,能降低鈉離子沾污,抑制鈉離子漂移,T5750獲得高質量的氧化膜,提高器件電性能和可靠性。常用的氯源有干燥高純的氯氣(C12)或氯化氫(HCl)和高純的三氯乙烯(oHC13,液態)。摻氯氧化一般采用干氧氧化法進行,這是因為水的存在會使氯不能結合到氧化膜中去,起不到降低可動鈉離子、清潔氧化膜的作用,而且容易腐蝕硅片表面。

   摻氯氧化速率略大于普通干氧氧化速率,這是由于氯進入s⒑2薄膜,使S⒑2結構發生形變,氧化物質在其中的擴散速率增大的緣故。 在摻氯熱氧化工藝中,常用的三種氯源里由于氯化氫氣體和氯氣都是腐蝕性較強的氣體,因此在生產上使用越來越多的是三氯乙烯。在高溫下三氯乙烯分解生成氯氣和氯化氫用于摻氯氧化,而三氯乙烯本身腐蝕性不如以上兩種氣體,因此三氯乙烯是更具有發展前途的摻氯氧化工藝的氯源材料。無論是干氧或者濕氧工藝,So2的生長都要消耗硅。硅消耗的厚度占氧化物總厚度的0.弱,就是說每生長1000A的氧化物,就有450A的硅被消耗。硅片表面一旦有氧化物生成,它將阻礙氧原子與硅原子的接觸。所以其后的繼續氧化(氧化物的增厚)是氧原子通過擴散,穿透己生長的氧化層向內運動,抵達si/S⒑2的界面進行反應。

   氧化的過程也是氣體穿過固態阻擋層擴散的過程,所以硅片制造廠中進行氧化的工作間仍被稱為擴散區。