多層金屬化產生了數量很多的接觸孔,這些接觸孔要使用金屬填充塞來填充, EL5423CR以便在兩層金屬之間形成連接通路。接觸填充薄膜被用于連接硅襯底中器件和第一層金屬化。目前被用于填充的最普通的金屬是鎢,因此填充薄膜常常被稱為鎢填充薄膜。鎢具有均勻填充高深寬比通孔的能力,因此被選為傳統的填充材料。濺射的鋁不能填充具有高深寬的通孔。基于這個原因,鋁被用做互連材料,鎢被限于做填充材料。通常CVD W的第一步是沉積△N/Ti阻擋層,在TN被沉積之前沉積△,以使它和下層材料反應,降低接觸電阻。△和硅反應形成πSi2。△s砬作為鎢的阻擋層金屬和附著加固劑,它需要一個最小約50A的底層厚度,具有連續的側墻覆蓋以形成一個有效的阻擋層金屬并且避免鎢侵蝕下層材料。

   cVD W工藝完成以后,在介質層上的墊膜鎢必須消除。線寬較大的工藝中,墊膜鎢的消除是由鎢反刻并留下經平坦化后的填充薄膜來實現的。在0.25um或更小的器件中,由化學機械平坦化(CMP)完成的鎢平坦化是首選的過程。阻擋層金屬比如△N和△被用于防止鎢和硅之間的擴散。墊膜鎢的工藝過程如圖2。⒛所示。