芯片制造過程中特別容易產生靜電放電,因為芯片加工通常是在較低的濕度(典型條件為40%±10%)環境條件下進行的,這種條件容易生成較高級別的靜電荷, CY7C128-45DMB雖然增加相對濕度可以減少靜電荷生成,但也會增加潮濕帶來的污染,因而這種方法并不實用。

   盡管靜電放電發生時轉移的靜電總量通常很小(納庫倫級別),然而放電的能量積聚在芯片上很小的一個區域內。發生在幾納秒內的靜電放電能產生超過1A的峰值電流,導致金屬連線燒毀和穿透氧化層,成為柵氧化層擊穿的原因。

    靜電對元件的封裝區域也有特別的影響,這樣就要求在敏感的元器件(如大矩陣內存)的加工和運輸中采用防靜電裝置。光刻掩膜工藝的掩膜版對靜電放電也非常敏感。放電可氣化并損壞鍍鉻掩膜層。有些設備故障也與靜電有關,特別是機械手、晶圓傳送器、測量儀器。晶圓通常由PFA材料制的機械手送入設備中。這種材料是防化學腐蝕的,但不導電。靜電存在晶圓里,但無法從機械手泄放。當機械手靠近設備的金屬部分時,晶圓表面的靜電就會對設備放電,產生的電磁干擾就會影響設備的正常工作。

   靜電控制包括防止靜電堆積和防止放電兩個方面,防止靜電堆積可使用防靜電服、防靜電周轉箱和防靜電存儲盒。防止靜電放電的方法包括使用電離器和使用靜電接地帶,電離器一般放在HEPA過濾器的下面,中和過濾器上堆積的靜電,也包括人員的接地腕帶和工作臺接地墊等。