不同阱寬對載流子分布的影響
發布時間:2016/8/1 21:11:56 訪問次數:712
多量子阱LED中,量子阱厚度是影響LED發光效率非常重要的因素之一。量子阱厚度較薄, L6506不但會增加外延生長的難度,降低材料質量,同時會減少量子阱中載流子濃度,不利于提高內量子效率。而量子阱厚度過厚,極化電場導致的電子空穴空間上的分離則變得更加嚴重(如圖2-18所示),電子和空穴的波函數重疊積分減小,載流子復合效率明顯降低。大量的實驗結果證明,3nm左右的量子阱厚度具有較高的載流子復合效率。
多量子阱LED中,量子阱厚度是影響LED發光效率非常重要的因素之一。量子阱厚度較薄, L6506不但會增加外延生長的難度,降低材料質量,同時會減少量子阱中載流子濃度,不利于提高內量子效率。而量子阱厚度過厚,極化電場導致的電子空穴空間上的分離則變得更加嚴重(如圖2-18所示),電子和空穴的波函數重疊積分減小,載流子復合效率明顯降低。大量的實驗結果證明,3nm左右的量子阱厚度具有較高的載流子復合效率。
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