不同量子阱形狀對載流子分布的影響
發布時間:2016/8/1 21:15:27 訪問次數:1191
傳統的InGaN量子阱為兩個完全對稱的GaN勢壘層包夾一個均一組分的InGaN勢阱層的結構。L6561為了解決傳統量子阱中電子空穴分布不對稱的問題,研究人員嘗試各種不規則量子阱結構來改變量子阱的能帶結構,最大限度地增加電子空穴波函數重疊積分,最終提高載流子復合效率,實現高發光效率。
最常見的不規則量子阱結構之一為臺階型量子阱結構,其能帶示意圖如圖⒉19所示。采用臺階阱結構可改善量子阱層中的極化電場,使量子阱能帶的傾斜度減小,并改善了有效量子阱的寬度,電子和空穴的空間重疊程度增加。
傳統的InGaN量子阱為兩個完全對稱的GaN勢壘層包夾一個均一組分的InGaN勢阱層的結構。L6561為了解決傳統量子阱中電子空穴分布不對稱的問題,研究人員嘗試各種不規則量子阱結構來改變量子阱的能帶結構,最大限度地增加電子空穴波函數重疊積分,最終提高載流子復合效率,實現高發光效率。
最常見的不規則量子阱結構之一為臺階型量子阱結構,其能帶示意圖如圖⒉19所示。采用臺階阱結構可改善量子阱層中的極化電場,使量子阱能帶的傾斜度減小,并改善了有效量子阱的寬度,電子和空穴的空間重疊程度增加。
上一篇：不同阱寬對載流子分布的影響
相關技術資料- 8-1不同量子阱形狀對載流子分布的影響
- 10-10I2C總線介紹
熱門點擊
- 刻蝕效果的主要參數有刻蝕速率
- 研磨拋光工藝流程
- 通常采用三次光刻芯片制程
- 中斷響應的條件
- 12位A/D轉換器AD1674及與單片機接口
- 幾種典型的MOCVD反應室
- MOs電容的設計
- 單片機選用sTC90C51系列單片
- SPICE軟件
- 制作金屬電極
推薦技術資料
- 業余條件下PCM2702
- PGM2702采用SSOP28封裝，引腳小而密，EP3... [詳細]
公網安備44030402000607
