Jollgwoon Parkll叨等人采用在hGaN量子阱中嵌入一層較薄的delta-AlGaN層的方法生長了不規則量子阱,實現了載流子分布的調整,其結構如圖⒉20所示。 L6561D013TR另外還有通過在量子阱中插入一層極薄的hN層也可有效抑制傳統InGaN量子阱中極化電場導致的量子限制斯塔克效應,增強電子空穴在空間上的分布重疊性,獲得高的電子空穴復合效率,如圖2-21所示。

   圖⒉20 具有dcka~AlGaN插入層的量子阱能帶結構示意圖

   三角形量子阱結構也是一種比較常見的非常規量子阱結構。在三角阱結構中,電子和空穴都將被限制在三角形量子阱內的勢能極低值處,即使在極化電場的作用下,量子阱能帶發生彎曲,導帶和價帶的勢能極低值在空間上仍然處于同一個位置。因此對于三角形量

子阱,能帶彎曲不會造成電子和空穴在空間上的分離,電子空穴波函數的重疊積分不會有太大變化,輻射復合效率不再受到極化效應的影響,如圖⒉22所示。