Kow-Ming Chang等人[11]在ITO與p-GaN中間插入了一層p-InGaN界面層,借助XPS、XRD、sIMS等測試結果, MLV-015D認為ITo退火后,少GaN中的Ga原子外擴散形成Ga o鍵和Ga空位,增加了界面的空穴濃度,這有利于載流子在ITo/p-GaN界面的隧穿。其原理如圖⒋14所示,ITo退火前后ITo/p-GaN的界面發生的改變。

   退火工藝還包含金屬電極的退火。對金屬電極退火的作用主要是以下幾個方面:

   ①形成金屬與n~GaN之間的歐姆接觸;

   ②形成ITo與金屬之間良好的接觸;

   ③增加金屬層之間,以及金屬與GaN及ITO之間的黏附力。對金屬退火的主要參數有溫度、氣氛、時間等【l劍。在對金屬的退火中,如果用爐管退火,則一般是在惰性氣體氛圍中進行,溫度較低(200~300℃),時間較長(5~15min);如果用快速退火爐,則一般溫度較高(ω0~⒃0℃),時間較短(10~30s)。