垂直結構設計及制備工藝
發布時間:2016/8/5 20:51:30 訪問次數:685
垂直結構設計及制備工藝
垂直結構LED通過激光剝離工藝將GaN夕卜延層轉移至si、cu等高熱導率的導電襯底,JM20335-LGAA1C從而克服傳統的藍寶石襯底G瘀基LED在效率、散熱、可靠性等方面存在技術瓶頸。典型的垂直結構芯片外觀結構如圖⒋34所示。
垂直結構設計及制備工藝
垂直結構LED通過激光剝離工藝將GaN夕卜延層轉移至si、cu等高熱導率的導電襯底,JM20335-LGAA1C從而克服傳統的藍寶石襯底G瘀基LED在效率、散熱、可靠性等方面存在技術瓶頸。典型的垂直結構芯片外觀結構如圖⒋34所示。
相關技術資料- 8-22印制導線的形狀可分為
- 8-5垂直結構設計及制備工藝
- 相關IC型號
- JM20335-LGAA1C
- JM20330
公網安備44030402000607
