GaN基高壓LED結構設計
發布時間:2016/8/6 15:51:21 訪問次數:848
高壓LED芯片的設計實際上是平面版圖設計與工藝相結合的一個芯片結構實現的過程。K4M56163LG-BN75高壓LED直流芯片就是在芯片上通過N,P電極連接形成器件的串聯結構,如圖⒋43所示,而高壓LED交流芯片一般是兩個反向發光單元并聯后與下一個相同并聯單元再串聯,因此,交流LED在工作時只有一半發光單元發光,其等效電路如圖⒋44所示。
直流高壓LED的設計包括:卜GaN臺階刻蝕、深隔離槽刻蝕、絕緣層淀積、ITo蒸發及導線電極淀積,其結構俯視圖如圖⒋45所示,下面將逐一介紹關鍵結構的設計。
高壓LED芯片的設計實際上是平面版圖設計與工藝相結合的一個芯片結構實現的過程。K4M56163LG-BN75高壓LED直流芯片就是在芯片上通過N,P電極連接形成器件的串聯結構,如圖⒋43所示,而高壓LED交流芯片一般是兩個反向發光單元并聯后與下一個相同并聯單元再串聯,因此,交流LED在工作時只有一半發光單元發光,其等效電路如圖⒋44所示。
直流高壓LED的設計包括:卜GaN臺階刻蝕、深隔離槽刻蝕、絕緣層淀積、ITo蒸發及導線電極淀積,其結構俯視圖如圖⒋45所示,下面將逐一介紹關鍵結構的設計。
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