激光加工技術用于提高GaN基LED的光提取效率的工作,主要集中在垂直結構上用KrF激光粗化n~GaN、通過激光打孔技術使倒裝結構芯片上的藍寶石背面粗化、EP1C12Q240C6N用激光微加工技術制作LED芯片的幾何形狀等。研究者們系統地研究了隱形切割對GaN基LED光電參數的影響。隱形切割對藍寶石襯底GaN基LED光性能的提升與使用激光的頻率有關系。Jac~Hoon Lcc等人[1剔用飛秒激光(1飛秒=l fl15秒)聚焦在藍寶石襯底的內部,并分離藍寶石得到分離LED器件,用飛秒激光的樣品在201nA下光功率比用納秒激光的高11%,提高的原因歸于減少了藍寶石的碎屑和熱損傷。比較圖5-9和圖5-10發現,飛秒激光切割比納秒激光切割明顯減少了藍寶石的碎屑和損傷。因為飛秒激光超短的脈沖寬度使得其能在短時間內具有很高的激光能量密度,因此飛秒激光切割具有高速作業的優點。