2007年報道了⑿叨用聚苯乙烯小球做掩膜通過干法刻蝕做GaN狽刂壁粗化,如圖5-16所示為側壁粗化示意圖和sEM圖。350mA下,InGaN/GaN有側壁粗化的樣品比沒有的樣品光強增加26%,這表明側壁粗化有助于提高光提取效率。 EP1C3T100C7N有側壁出光的樣品的wall~plug效率提高26,5%。1000小時老化后,側壁粗化的功率型芯片沒有任何退化現象。

   20008年報道了P叨用納米光刻技術和刻蝕技術粗化少GaN,提高GaN基綠光功率型芯片的光提取效率。35ClmA下,111m×1mm的具有納米粗化芯片用To-can封裝后光強提高48%,而且測試光輻射模型發現,具有納米p-GaN粗化表面的芯片具有更寬的出光角度。如圖5-17所示為納米粗化LED與傳統LED的IJ曲線和遠場輻射光型圖。