因為p-GaN的的摻雜濃度很難做到很高,并且摻雜劑Mg的離化率很低,因此p-GaN層一般是高阻層。 EP1C3T100C8N所以在p-C・aN表面一般沉積一層透明導電層。早期的透明導電層一般是幾十納米的Ni/Au層在α氛圍中退火得到,目前業界生產一般采用氧化銦錫(ITO)作為透明導電層。因此將ITo粗化也是提高光提取效率的一種方式。Ray-hua Homg等人卩四用聚苯乙烯球做掩膜對p面向上LED的ITo層進行紋理化刻蝕,優化條件后,ITo的粗糙度可達14Onm,用于掩膜的聚苯乙烯球的直徑在15o~300nm之間。具有紋理化ITo窗口層結構的LED樣品比平面LED樣品在⒛mA和硐0mA下光強分別增加30%和們%,經過計算,紋理化和沒有紋理化的樣品的外量子效率分別為”,6%和17,4%,即外量子效率提高約5.2%。

   GaN基LED外延芯片廠在傳統正裝結構,一方面由于p-GaN在上表面,不好粗化;另一方面粗化p-GaN會帶來一些損傷或者漏電等其他光電參數的問題,而且粗化后在點測時光功率有很大程度上的提高,但是封裝后由于支架杯底良好的反射效果而使得粗化引入的光提取效率提高變得較為有限。但是在垂直結構LED上,將G洲夕卜延膜剝離后,n~GaN在器件的上表面,可以用濕法粗化,在良率和成本等方面均較為可控,具有實際的生產價值。