對于GaN基LED,不管是藍寶石襯底,還是碳化硅襯底,或者是硅襯底;也不管是傳統正裝結構,EP1C3T100I7N還是倒裝結構,或者是垂直結構,都面臨著p-GaN的歐姆接觸、反射率以及其熱穩定性的問題。一方面很難做到高摻雜p-GaN,另一方面摻雜的受主原子(Mg)的離化能較高(約⒛0mcV),造成離化率只有l%左右。因此,相對n~GaN而言,p-GaN的載流子濃度很低,再者p-GaN的功函數較大(約7.5cV),基本沒有功函數與之匹配的金屬(金屬中功函數最大的Pt也只有5.65cV),所以,GaN基LED的p型層接觸是其關鍵技術之一。

   一般的LED燈珠應用都只是需要單面出光,而量子阱(multi-quantum well,MQW)發光是全方位的,因此需要不出光的那一面對可見光波段的反射率很高才能提高LED的光提取效率。

   正裝結構芯片,一是其P、N電極焊盤以及出光面在同一側,這種結構一者損失了較大的發光區;二是電極焊盤在出光面上吸光造成光損失;三是因其襯底藍寶石熱導率低(35W/mK)而使得散熱不佳。            

  倒裝結構芯片以襯底面出光,出光面與電極焊盤不在芯片的同一側,因此要求在p-GaN那一面在保證低比接觸電阻的歐姆接觸前提下具有高反射率,同時接觸層金屬還是散熱通道,這種結構的發光區損失比正裝結構小,熱量不主要靠藍寶石襯底那一面散熱,但是工藝較為復雜,良率通常較難做到與正裝結構一樣高。