金字塔狀(pyrami止血apc)以及凹坑(rcccss)。金字塔狀與凹坑結構形貌在制作上的唯一不同就是掩蔽層圖形互反,前者掩蔽圖形為圓柱,后者為圓孔。B4B-PH-K-S金字塔結構頂部和凹坑的底部因刻蝕時間的不同,可能會存在平臺面。Ji-HaO Chcng等人卩q用濕法蝕刻制作了周期性的具有不同斜邊角度的三角形金字塔陣列的PsS。在PSS側邊上除了正常的纖鋅礦結構GaN,還有閃鋅礦結構GaN。隨著PsS傾斜角度由57,4°下降到31.6°,GaN的晶體質量變好。這是因為大多數G燜是始于c面開始生長的,隨著生長時間的延長,c面GaN夕卜延膜通過橫向生長覆蓋金字塔使得線位錯朝著金字塔轉彎。

   YK,Su等人用傳統光刻技術和納米球光刻技術分別制得微米和納米級Pss,在不同圖形尺寸襯底上制得GaN基LED,研究了這幾種LED的結構、電、光性能。發現用PSS能顯著提高GaN夕卜延膜的晶體質量,能提高漏電性能,在不同尺寸Pss上的LED樣品的/t・很類似,但納米級PSs上的樣品光強最高,表明PsS圖形的尺寸大小與光提取能力有關。H.WHuang等人卩劍通過納米壓印技術制備納米孔藍寶石圖形襯底GaN基LED。在注入電流⒛lllA下,納米孔PsS上的InGaN/GaN LED的光功率比平面襯底LED提高33%,同時光電轉換效率(wallv1ug cⅢcicncy,WPE)提高30%。表明納米孔PSs提高了光提取效率。并通過測量輻射場型(如圖5-52所示)得知具有納米孔Pss的LED具有更大的出光角度。