由MOCVD外延生長在GaAs襯底上的TF LED結構主要包括⒛0nm GaInP腐蝕停層(該層的意義在于去除GaAs襯底時腐蝕GaAs的溶液不腐蝕GaInP起到保護有源區的作用)、Onm⒈GaAs歐姆接觸層、2um n-AlGaInP電流擴展層、⒈~AlGaInP限制層、AlGaInP有源區、p-AlGaInP限制層、p-GaP歐姆接觸層和光學窗口層。 BBR13-30K6417其中⒈AlGaInP的摻雜濃度和厚度,限制層、有源區各元素的比例,量子阱對數等參數,因設計想法和LED要求的參數等因素不同,各參數稍有差異。

   轉移襯底LED在完成外延結構生長以后,需要經過多次的光刻、淀積、腐蝕等工藝,制作出倒裝LED芯片。整體過程包括:外延片→清洗→P面蒸鍍Sioˉ光刻導電孔→濺射導電介質→剝離一濺射厚Au,同時在轉移的襯底上濺射厚Au→鍵合→去除原GaAs襯底→N面蒸鍍電流擴展層ITo→濺射N面電極艸光刻N電極→研磨減薄→濺射P面電極→退火→切割→分選→成品測試。下面以一種倒裝到Si襯底上的紅光AlGaInP LED芯片為例,介紹具體制作工藝流程:

   (1)外延片反光鏡和鍵合層:在外延片上制作反光鏡、歐姆接觸層和鍵合層之后,與作為支架的已淀積黏附層和鍵合層金屬的Si襯底鍵合。   '

   (2)GaAs襯底轉移:鍵合后,磨片減薄GaAs襯底到約100um厚度。用氨水:雙氧水=3~5∶15的溶液腐蝕GaAs襯底。因溶液對GaAs/GaInP具有很高的腐蝕選擇比,腐蝕均勻地停止在GaInP層。腐蝕GaAs襯底時,最好加以超聲。一方面加快反應速度;另一方面GaAs襯底與雙氧水反應,生成的Ga與As各自的氧化物并不能完全被氨水溶解,這些氧化物會堆積在反應表面,阻止GaAs的進一步腐蝕。