摻雜濃度對氧化率的影響隨著摻雜物的類型及濃度的不同而變化。通常來講，高摻雜區比低摻雜區氧化得更快。 A2919SLBTR-T高濃度磷摻雜區是不摻雜區氧化率的2—5倍6i。

   可是，摻雜氧化影響在線性階段（薄氧化層）表現得更為顯著。

   氧化雜質：特定的雜質，特別是氯化氫( HCl)中的氯，被包含在氧化環境中（見7.4節）。這些雜質對生長率有影響。在有氯化氫的情況下，生長率呵提高1%到5%引。

   多晶硅氧化：多晶硅的導體和柵極是大多數MOS器件或電路的特性。器件或電路工藝要求多晶硅氧化。與單晶硅相比，多晶硅可以更快、更低或相似。一些和多晶硅形成有關的因素會影響接下來的氧化。這些因素包括多晶硅淀積方法、淀積溫度、淀積壓力、摻雜的類型和濃度，以及多晶硅的晶體結構。

   差值氧化率及氧化臺階：經過器件或電路制造工藝的初始氧化后，晶圓表畫的條件會有所不同，有些是場氧化的，有些是摻雜的，有些是多晶硅區，等等。每個區有不同的氧化率并依賴不同的條件氧化厚度會增加。氧化厚度的不同稱為差值氧化( differential

oxidation)。以MOS晶圓上的氧化為例，在相鄰的經過輕度摻雜的漏極和源極，形成的多晶硅柵極，可以導致在柵極上的氧化層比較厚，這是因為二氧化硅在多晶硅上生長得比較快。