處于平衡狀態的半導體,在一定溫度下,電子濃度,90和空穴濃度助一定,對于非簡并情況, AD9512BCPZ-REEL7它們的乘積也是一定值:但在一些外界條件作用下,如用光子能量大于半導體禁帶寬度的光照或pll結加正向偏 壓或用高能粒子輻照等,半導體材料中一部分原處于價帶的電子被激發到導帶,價帶比平衡時多出了一部分空穴匆,導帶比平衡時多出一部分電子稱為非平衡載流子濃度,也稱為過剩載流子濃度。光照即光注入時由于電子空穴成對出現,但刀結加正向偏壓即電注入時,非平衡電子和空穴濃度與摻雜濃度和擴散系數有關,一般AP不等于Δ″。

   當撤除光照等外界作用時,半導體由非平衡狀態恢復到平衡狀態,非平衡載流子逐漸消失,這個過程就是載流子的復合。

從載流子復合的微觀過程上可以分成直接復合和間接復合兩類,直接復合是電子在導帶和價帶之間直接躍遷,引起電子和空穴的直接復合;間接復合是電子通過禁帶中的缺陷能級,即復合中心與空穴復合。非平衡載流子復合時伴隨著能量的釋放,一般有發射光子,

發射聲子或傳遞能量給其他載流子。對于發光器件,一般按復合過程是否發射光子分為輻射復合和非輻射復合兩類。輻射復合是電子和空穴直接復合發光的過程;非輻射復合主要有深能級缺陷輔助的復合、俄歇復合。

   另外,按載流子復合發生的位置,又可以分為體內復合和表面復合。輻射復合過程中,一對電子和空穴復合伴隨一個能量等于半導體帶隙的光子發射出來。單位體積內,每個電子在單位時間內都有一定概率和空穴相遇而復合,概率和空穴濃度成正比,復合率R可表系數r表示電子和空穴的復合概率,它是與溫度有關的量,刀和`分別表示電子和空穴的濃度。對于非簡并半導體,空穴濃度相對價帶狀態密度,以及電子濃度相對導帶狀態密度其比例極小,即可認為價帶基本是滿的,導帶基本是空的,激發概率不載流子濃度刀和`的影響,則載流子產生率G僅與溫度有關,與載流子濃度無關。熱平衡狀態的電子和空穴的濃度分別為P90和f,0,載流子產生和復合達到平衡,所以產生率必定等于復合率