上式表明在大注入情況下,非平衡載流子壽命隨非平衡載流子濃度而改變。 AD9514BCPZ深能級缺陷輔助的復合又稱為田m(shockl叩-Rcad-Hall)復合,它是非平衡載流子通過半導體中的缺陷能級,即復合中心發生非輻射復合的―種問接復合過程。如圖3-27所示,如果在半導體材料中存在單一的復合中心能級Er,則導帶的電子躍遷到價帶的復合就可以通過馬分成過程1和2兩步完成,即第一步導帶上的電子首先落到復合中心能級Er,可看作復合中心從導帶俘獲電子;第二步電子再落入價帶并與空穴復合,可看作復合中心從價帶俘獲空穴。顯然,過程1存在它的逆過程1′,即復合中心的電子被激發到導帶;過程2也存在它的逆過程2′,即價帶電子被激發到復合中心能級上。

    圖3-27 sRH復合的四個過程,俘獲電子;11發射電子;2,俘獲空穴;21發射空穴)熱平衡狀態時,電子產生率等于俘獲率,即過程1和1′互相抵消,同時空穴產生率等于俘獲率,即過程2和2′互相抵消。而在非平衡狀態載流子穩定復合時,單位時間和體積內導帶上電子的減少數等于價帶上空穴的減少數,即電子和空穴成對復合。由以上關系可得非平衡載流子通過復合中心的復合率。