人體放電模式是模擬因在地面走動摩擦或其他因素在人體上累積的靜電,當去觸碰到LED芯片時,人體上的靜電便會傳遞給芯片,如圖4-38(a)所示。AT24C08N-SI2.7此放電的過程會在短到幾百毫微秒(ns)的時間內產生數安培的瞬間放電電流c機器放電模式的EsD是模擬機器(例如機械手臂)本身累積了靜電,當此機器碰觸到LED芯片時,該靜電便傳遞給芯片,如圖4-38(b)所示。囚為機器是金屬,其等效電阻近似為0Ω、等效電容約為⒛OpF。由于機器放電模式的等效電阻為0,故其放電的過程更短,在幾毫微秒到幾十毫微秒之內會有數安培的瞬間放電電流產生。

    同樣的測試電壓下,機器模式比人體模式的放電電流大很多,因此機器放電模式對LED芯片的破壞力更大。經驗表明,為達到近似的效果,人體模式下的測試電壓需要為機器模式下的8~10倍。

隨材料質量和芯片工藝的不管提高,GaN基LED的抗ESD能力己大為進步。人體模

   式測試條件下,己從初期的500V提高到了⒛O0~ωOOV,最高可達8000V。盡管LED芯片的抗ESD能力已得到大的提高,但在芯片的制造、測試、運輸、包裝乃至封裝、使用過程中仍需注意靜電的防護。主要措施包括:①生產測試車間應鋪設防靜電地板并做好接地;②生產機臺、I作臺應為防靜電型,且接地良好;③操作員應穿防靜電服、帶防靜電手環、手套或腳環;④工作面處應配備離子風扇;⑤焊接電烙鐵需接地;⑥包裝應采用防靜電材料。⑦高端應用的LED應并聯齊納二極管,防止靜電損傷。