這一時期晶間管中頻電源的啟動方案多為帶有專門充電環節的撞擊式啟動方案, INA105KU且控制板為多塊小控制板構成的插件箱式結構。整個控制系統通常由12塊控制板構成(6塊整流觸發板、2塊逆變脈沖板、1塊正電源板、1塊負電源板、1塊保護板、1塊調節板),在這一時期快速晶間管國產水平關斷時間最快為35灬,而阻斷電壓最高不超過1600Ⅴ,平均電流最大為500A,由此決定了對功率容量超過350kW的感應加熱采用中頻電源時不得不采用多只快速晶問管并聯的方案。

   80年代初,人們將現代半導體微集成加工技術與功率半導體技術進行結合,相繼開發出一大批全控電力電子半導體器件(GTR、M0ⅢET、sIT、SITH及MCT等),為全固態超音頻、高頻電源的研制打下了堅實的基礎。

    ⒛世紀⒇年代的大范圍推廣應用期。經歷了前述兩個時期,我國的晶間管中頻電源技術已較成熟。國產快速晶問管制造工藝采用中子幅照等使關斷時間進一步縮短,從35u左右降到z~s ILs左右,甚至⒛u以下;阻斷電壓已從1600Ⅴ上升到⒛00Ⅴ左右;快速晶閘管的容量進一步提高,單管容量已從500A增加到1000A;控制技術已有撞擊式啟動、零壓啟動、內/外橋轉換啟動等方案,感應加熱中頻電源的功率容量已從幾十千瓦增加到500kW,甚至1000kW。