光刻膠會對許多形式的能量有反應。這些形式的能量通常是指光能、熱能等，或者是BCM5308EKTB指電磁光譜中具體的某一部分光[如紫外線( UV)、深紫外線(DUV)、I線光(I-Line)等]（見8. 11.2節），j在8.11節中，會對曝光能量有詳細的說明。有很多策略是專門用來實現小圖形曝光的（見8.5.8節）。一種是用更窄波（或單色波）作為曝光源。傳統的基于Novolak的正膠已經被微調過可以用在I—1．ine曝光源卜。然而，在DUV曝光源上，這種光刻膠卻不能很好地F作。針對DUV曝光源，光刻膠生產商已經開發了化學放大光刻膠(chemically amplif'iecl re-sist)。化學放大的意思是光刻膠的化學反應會通過化學催化劑而被加快．j用于X射線和電子束(e-beam)L的光刻膠是不同于傳統的正膠和負膠的聚合物。

   溶劑：光刻膠中容量最大的成分是溶劑。溶劑使光刻膠處于液態，并且使光刻膠能夠通過旋轉的方法涂在晶圓表面形成一個薄層。光刻膠是和涂料相類似的，包含染色劑，這種染色劑在適當的溶劑中會被溶解。溶劑用于負膠的溶劑是一種芬芳的二甲苯( xylene)。在IF膠中，溶劑是乙酸乙氧乙酯( ethoxyethyl  acetate)或者是二甲氧基乙醛(2-methoxyethyl)。

   光敏劑：光敏劑被加到光刻膠中用來限制反應光的波譜范圍或者把反應光限制到某一特定波長，、在負膠中，一種稱為bis-aryldiazide的混合物被加到聚合物中來提供光敏性㈠i。在正膠中，光敏劑是o-naphthaquinonediazide。

   添加劑：不同類型的添加劑和光刻膠混合在一起來達到特定的結果。一些負膠包含染色劑，它在光刻膠薄膜中用來吸收和控制光線。正膠可能會有化學的抗溶解泵統( dissolutionnhibitor system)。這些添加劑可以阻止光刻膠沒有被曝光的部分在顯影過程被溶解。