光刻膠的選擇是一個復雜的過程。主要的決定因素是晶圓表面對尺寸的要求。光刻BCM5325MA2KQMG膠首先必須具有產生那些所要求尺寸的能力。除了這些，還必須有在刻蝕過程中阻擋刻蝕的功能。在阻擋刻蝕的作用中，保持特定厚度的光刻膠層中一定不能存在針孔。另外，光刻膠必須能和晶圓表面很好地黏結，否則刻蝕后的圖形就會發生扭曲，就像是如果在印刷過程中蠟紙沒有和表面貼緊的話，就會得到一個濺污的圖形。以上那些，連同工藝緯度和階梯覆蓋能力，都是光刻膠性能的要素。在光刻膠的選擇過程中，工藝師通常會在不同的性能因素中做出權衡。光刻膠是復雜化學工藝和設備系統的一部分，它們必須一起工作來產生好的圖形結果和可生產性，其設備必須使廠商擁有可接受的購買成本。

   在光刻膠層能夠產生的最小圖形或其間距通常被作為對光刻膠分辨率（resolution capability）的參考，，在晶圓上最關鍵的器件和電路的尺寸( CD)是圖形化工藝的目標。產生的圖形或其間距越小，說明分辨率越高。一種特定光刻膠的分辨率，實際是指特工藝的分辨率，它包括曝光源和顯影工藝。改變其他的工藝參數會改變光刻膠固有的分辨率。總體來說，越細的線寬需要越薄的光刻膠膜來產生。然而，光刻膠膜必須要足夠厚來實現阻擋刻蝕的功能，并且保證不能有針孔。光刻膠的選擇是這兩個目標的權衡。

   用深寬比( aspect  ratio)來衡量光刻膠與分辨率和光刻膠厚度

相關的特殊能力（見圖8. 13）。深寬比是光刻膠厚度與圖形開口尺寸的比值。隨著業界要求更小的圖形，圖形密度和形狀因子開始在光刻膠設計方面產生影響。對于一種給定的光刻膠，孤立圖形、水接觸孔和高密度圖形的區域，由于反射效果和化學反應因素，整個曝光和顯影都不同。從而，有專門用于這些情況而設計的光刻膠。

   正膠比負膠有更高的深寬比，也就是說，對于一個給定的圖

形尺寸開n，正膠的光刻膠層可以更厚。由于正膠的聚合物分子