干氧：當氧氣被用做氧化劑時，它由廠房設施供應或由靠近氣體柜的壓縮氧氣罐供應。 IPW50R140CP氣體必須是干燥的，不能有水分。，氧氣中的水分可以加快氧化速度，使得氧化層厚度超出規定范圍（例如，out-of-spec】。干氧適合于MOS器件中非常薄的柵極氧化層（約為iooo A）。

   水汽氧化：給爐管供應水蒸氣有好幾種方法。方法的選擇取決于厚度的要求和器件對氧化層潔凈度的要求。，

   氣泡發生器：歷史上，爐管中所需的水蒸氣由氣泡發生器產生。它是具有加熱器和保持去離子水( DI)被加熱到接近沸點(98℃~99℃)的容器，這樣在液體上面的空間產生水蒸氣。攜帶氣體帶著水氣進入加熱的爐管，在那里它變成水蒸氣。（化氣泡發生器與在第1 1章描述的液態摻雜劑氣泡發生器結構相同。）

   氣泡發生器的主要缺點是當控制水蒸氣進入爐管時，會使液面變化并引起水溫的波動。氣泡發生器中由于臟水和脫落物導致污染爐管和氧化層的問題，永遠是個問題。這個問題由于定期打開系統補充水而變得更加嚴重。

   干氧氧化( dryox)：隨著MOS器件的引進，對潔凈度及厚度的控制有了新的要求。MOS晶體管的心臟是柵極的結構，柵極的關鍵層是很薄的熱氧化層，液態水蒸氣系統對于生長薄的、潔凈的柵氧化是不可靠的。答案是要用干氧氧化（或干蒸氣）工藝。

   在于氧化系統中，氣態氧氣和氫氣直接進入爐管。在爐管中兩種氣體混合，并在高溫的影響下形成水蒸氣，導致往水蒸氣中的濕氧化。于氧化系統提供了一個比液態系統改進了的控制及潔凈度。第一，可以買到非常干凈和干“于氧”（r蒸氣）水汽源的氣體；第二…二，進入爐管的氣體總量可以被質量流量控制器非常精確地控制。在制造高級器件時，干氧氧化比其他氧化方法更優越。