日本日立化成工業近日宣布，已經確立了可穩定供應半導體制造使用的光刻鏡頭(lithography lens)用氟化鈣(CaF2)單晶的制造技術。氟化鈣對于用來提高半導體制造工藝的鏡頭是不可缺少的材料。新技術能夠以約2倍于原來的效率進行氟化鈣生產。

隨著制造工藝向90nm過渡，半導體光刻的激光光源已由過去的氪氟(KrF)變成氬氟(ArF)，波長越來越短。而鏡頭也必須隨之由過去的人造石英，改而采用在真空紫外線區域透過率更好的氟化鈣單晶。

但是，在氟化鈣單晶制造中常用的真空布里奇曼法雖說設備簡單，結晶易于大尺寸化，卻存在易于多晶化，大尺寸單晶制造難度大等問題。日立化成工業通過運用PET(陽電子放射斷層攝影)設備用GSO單晶開發中采用的技術，對真空布里奇曼法進行改進后，解決了上述問題。將過去約50%的成品率提高到了約95%。

另外，半導體光刻鏡頭必須使用2種晶向(crystal orientation)的鏡頭，但過去很難控制結晶的成長取向，而現在則可以了。由此就能提高生產效率。該公司將于2005年度開始提供大尺寸單晶，預計2007年度的銷售額將達30億日元(約合人民幣2.3億元)。

(轉自 中國半導體行業網)