光調制分為內調制和外調制兩種。內調制是指從發光器內部采取措旋使光調制， P204CSSNIMMB如改變半導體激光器注入電流實現調幅，在氦一氖激光器上加入軸向磁場，利用塞曼效應使光頻率發生變化。外調制是在光傳播過程中進行調制，如電光、聲光、磁光調制器，還有機械、光學、電磁元件等，如調制盤、光柵和電磁閥等。下面介紹幾種基本形式。

   1)內部調制

  半導體激光器調制電路原理和輸出光功率與調制信號的關系曲線。為了獲得線性調制，使調制的工作點處于輸出特性曲線的直線部分，必須在加電流調制信號的同時再加上適當的偏置電流，就可以使輸出的激光信號不失真。

   2)外部調制

   (1)電光器件。利用某些物質的電光效應可以制成電光器件。具有電光效應的一類光學介質受到外電場作用時，它的折射率將隨著外加電場變化，介電系數和折射率都與方向有關，需要用張量來描述，在光學性質上變為各向異性；而不受外電場作用時，介電系數和折射率都是標量，與方向無關，在光學性質上是各向同性的。光在晶體中傳播的性質可用電場對光學介質折射率的影響來描述。

   迄今，已發現的電光效應有兩種，一種是折射率的變化量與外電場強度的一次方成比例，稱為泡克耳斯( Pockels)效應；另一種是折射率的變化量與外電場強度的平方成比例，稱為克爾( Keer)效應。利用克爾效應制成的調制器，稱為克爾盒，其中的光學介質為具有電光效應的液體有機化合物。利用泡克耳斯效應制成的調制器，稱為泡克耳斯盒，其中的光學介質為非中心對稱的壓電晶體。泡克耳斯盒又分為縱向和橫向調制器兩種。