對于一個晶圓，除r要有單晶結構之外，還需要有特定的晶向( crstal orientation)。通過G30N60A4切割的單晶塊可以想象這個概念。在垂直平面上切割將會暴露一組平面，而角對角切割將會暴露一個不同的平面。每個平面是獨一無二的，不同在于原子數和原子間的結合能。每個平面具有不同的化學、電學和物理特性，這些特性將賦予晶圓。晶圓要求特定的晶體定向。

   晶面通過一系列稱為米勒指數的三個數字組合來表示。有兩個簡單的立方晶胞嵌套在X YZ坐標中。兩個在硅晶圓中最通常使用的晶向是(100>和<111>晶面．，晶向描述成l∞．0面和l—l j1面，尖括號表示這三個數是米勒指數。

   <100)晶向的晶圓用來制造金屬氧化物磋(MOS)器件和電路，而(111>晶向的晶圓用來制造雙極型器件和電路。砷化鎵晶體只能沿(100>晶面切割。

   注意在圖3.7的(100>晶面有一個正方形，而<111)晶面有一個三角形。當晶圓破碎這些定向將。(100>晶向的晶圓碎成四方形或直角(900)破裂。<111)晶向的晶圓碎成三角形。

   半導體晶圓是從大塊半導體材料切割而來的。這種半導體材料，或稱為硅錠( ingot)，是從大塊的具有多晶結構和未摻雜本材料生長得來的。把多晶塊轉變成一個大單晶，給予正確的定向和適量的N型或P型摻雜，叫做晶體生長( crystal growing)。

   使用三種不同的方法來生長單晶：直拉法( Czochralski，CZ)、液體掩蓋直拉法和區熔法。