第—步是電路版圖設計，它是半導體集成電路所獨有的。電路的工作運行與很多因素相關， G30N60RUFD包括材料電阻率，材料物理特性和元件的物理尺寸。另外的因素是各個元件之間的相對定位關系。所有這些要考慮的因素決定了元件、器件、電路的物理布局和尺寸。j線路圖設計開始于使崩復雜尖端的計算機輔助設計系統( CAD)將每一個電路元件轉化為具體的圖形和尺寸。通過CAD系統構造成電路，接下來將是把最后的設計完全復制。，得出的結果是一張展示所有子層圖形的復合疊加圖。此圖稱為復合圖( composite drawing)。復合圖類似于一座多層辦公樓的設計圖，從頂部俯視并展示所有樓層。但是，復合圖是實際電路尺寸的許多倍。，制造集成電路和蓋樓房同樣需要一層層地建，因此必須將電路的復合圖分解為每層的沒計圖。以一個簡單的硅柵MOS晶體管舉例圖解了復合圖形和分層圖形。

   每層的圖形是數字化的（數字化使圖形轉換為數據庫）并由計算機處理的X-Y坐標的設計圖。

   光刻母版和掩模版

   光刻工藝用于在晶圓表面和內部產生需要的圖形和尺寸。將數字化圖形轉到晶圓上需要一砦加工步驟。在光刻制程中，準備光刻母版( reticle)q是其中的一個中間步驟。光刻母版是在玻璃或石英板的鍍薄膜鉻層上生成分層設計電路圖的復制圖。光刻母版

可直接用于進行光刻，也可能被用來制造掩模版。掩模版也是在玻璃底板表層鍍鉻。在加工完成后，在掩模版表面會覆蓋許多電路圖形的副本。掩模版用于在整個晶圓表面形成圖形。電子束曝光系統跳過光刻母版或掩模版，并直接在晶圓表面曝光。光刻母版和掩模版的制作過程將在第10章講述。