1947年年末,美國的貝爾實驗室(Bell Lab)發明了半導體點接觸式晶體管,這是最早的半導體器件,隨后出現了合金結晶體管,它們采用的半導體材料都是鍺晶體。NAND01GW3B2BN6E合金法制造pll結工藝示意圖如圖0-3所示。

   直到1954年,第一塊硅晶體才由美國德州儀器公司(Texas h虻ruments)研發成功。幾乎同時,利用氣體擴散把雜質摻入半導體的技術也由貝爾實驗室研發出來。有重要意義的突破是,在硅片上熱生長出了既具有優良電絕緣性能又能掩蔽雜質擴散的二氧化硅層。此后不久,在照相印刷業中早已廣泛應用的光刻技術,以及透鏡制造業中應用的薄膜蒸發技術被引進到半導體工藝中來。仙童半導體公司(F“rchdd⒌miconducto0研制的硅平面工藝使制造性能穩定的平面晶體管成為可能。以平面工藝制造pn結的工藝流程如cl4所示,其要點如下:

   ①在硅的平坦表面上生長出一層穩定的二氧化硅;

   ②采用光刻技術在二氧化硅上刻出窗口;

   ③通過刻出的窗口將摻雜劑摻人硅,摻雜劑沿垂直和水平兩個方向在硅中擴散,在窗口附近形成一定的雜質分布;           `

   ④pn結在表面處被二氧化硅覆蓋,這層二氧化硅不再被去掉,可使器件性能更加穩定。硅平面工藝的發明使集成電路的制造成為可能。1958年美國的德州儀器公司和仙童半導體公司各自研制出了雙極型集成電路。1962年MOS場效應晶體管和MOS場效應集成電路也相繼誕生。