1960年外延技術出現,誕生了外延晶體管。20世紀7o年代初,美國研制出第一臺離子注人機, NAND01GW3B2CN6E使在硅片的定域摻雜更精確、更均勻,可以在更薄的表面層內實現精確摻雜,由此集成電路也向更大規模方向發展。隨后等離子干法刻蝕、化學氣相淀積等新工藝、新技術也不斷出現。從集成電路誕生到20世紀80年代,是以工藝技術的發展為主導來促進微電子產品、特別是集成電路的高速發展時期。

   進人~90世紀⒛年代中后期,集成電路設計從微電子生產制造業中獨立出來,微電子工藝也進一步完善和規范,形成了集成電路標準制造I藝。全球第一家集成電路標準加工廠(Foundry)是1987年成

立的中國臺灣積體電路公司,它的創始人張忠謀也被譽為“晶體片加工之父”。⒛世紀90年代之后,集成電路制造向高度專業化的轉化成為一種趨勢,開始形成電路設計、芯片制造、電路測試和芯片封裝4個相對獨立的行業。基于實際應用需求而進行的集成電路設計成為引領和推動微電子工藝高速發展的源動力,它不斷對工藝技術提出更高要求。這時芯片制造的橫向加工精度開始進入亞微米范圍,出現了電子束光刻、X射線光刻、深紫外光刻工藝技術;縱向加工精度也進一步提高,出現了可生長幾個原子厚度外延層的分子束外延工藝、薄層氧化工藝和淺結摻雜技術等。在集成電路金屬互連I藝方面,從1985年起IBM公司(Intematlond Bussilrless Machilae Corpom―tlon)就開始研發用銅代替鋁作為超大規模集成電路多層金屬互連系統的工藝技術,直到1998年才在諾發公司(Novdlus助stem)的協助下研制出了銅互連工藝,并將其應用在實際的集成電路制造中,1999年蘋果公司(AplDle ColllpLtter,Illc.)也在⑽0MHz微處理器中采用了銅互連I藝。圍繞著銅互連產生了一系列芯片制造工藝的改進技術,如銅層電鍍技術、化學機械拋光技術等。