現代微電子工藝是以硅平面工藝為基礎而發展起來的。最能體現微電子工藝發展水平的單項工藝是光刻I藝,一般用光刻工藝或光刻特征尺寸(光刻圖形能夠分辨的最小線條寬度)來表征微電子工藝水平。

   計算機動態隨機存儲器(DRAM)芯片,從NAND128W3A2BN6E出現到現在,幾十年時間里其使用功能基本相同,具有很高的集成度,也最能反映出集成電路工藝的發展歷程。所以,通常用DRAM芯片的發展歷程來表明集成電路工藝水平的進步。DRAM芯片發展歷程如表01所示。

   ⒛00年,集成電路芯片主流產品的特征尺寸已在0,18um以下,集成電路工藝開始向納米階段發展。到2004年,集成電路的特征尺寸正式進人到納米量級,90nm線寬的集成電路工藝被大規模應用在中央處理器(CPU)、數字信號處理電路(DSP)等復雜集成電路芯中。目前,浸潤式光刻技術已經在22nm水平工藝上應用,銅互連技術已應用于高端電路芯片的生產工藝中,并由最初的6~7 層互連發展到現今的9~10層互連,已替代鋁互連技術成為主流互連技術。

   人類對電子產品的要求一直向著體積更小、速度更快、功耗更低、性能更高的方向發展。隨著元器件特征尺寸的持續縮小,集成電路的集成度不斷提高,傳統的集成電路工藝進一步完善和拓展另

外,一些新機理、新結構的納電子器件及電路被設計出來,與之相適應的新的工藝技術――納電子藝已誕生。