假設有重量百分比分別為86%As和14%Sl的熔融體混合物從高溫開始冷卻。在溫度GM1117-AST3降至10⒛℃時,固體sAs從熔體中結晶出來,熔體成為富砷相,直到溫度降至944℃,這時液相組成為90%As+10%弘溫度繼續下降時,固體的sAs與一些剩余的熔體結合形成液體sAs+sAs2相,稱為包晶相,s凡被包在s幾中;當溫度降至786℃或更低,SiAs2和`相都從液相析出而形成固體lg+siA叻相。實際上,重要的不只是雜質在硅中的平衡濃度,雜質在硅晶體中的存在形式也同樣重要。雜質濃度較高時對晶體結構、物理性質的影響,以及雜質劑量與哪些因素有關也是非常重要的問題。這些在后面將陸續介紹。

   按照溶質在溶劑中的存在形式,固溶體主要可分為兩類:替位式同溶體和間隙式固溶體。形成替位式固溶體的必要條件是溶質原子的大小接近溶劑原子的大小。實驗證明,若溶劑原子和溶質原子半徑相差大于15%,則形成替位式固溶體的可能性降低。反之,原子半徑相差小于15%(這種情況也稱“有利幾何因素”)且溶質濃度很大,就可能形成替位式固溶體。能否形成固溶體,不僅需要遵守幾何因素,而且也要考慮溶劑和溶質原子外部電子殼層結構的相似性和晶體結構的相似性。所有上述條件的有利結合,能導致連續(無限)固溶體的產生,也就是說,一種物質可以無限地溶解于另一種物質之中。能夠形成連續固溶體的必須是替位式固溶體,但替位式固溶體不一定都是連續固溶體。鍺-硅系統就是連續固溶體的實例,稱為同晶體系。若上述條件不能完全得到滿足,只能形成有限固溶體,如鋁-硅體系就是共晶體系,溶劑和溶質的差異越大,形成的固溶體就越有限。